Comunicazione

Rivelatori HV-CMOS per fisica delle alte energie: caratterizzazione della tecnologia BCD8 e studi del danno di radiazione.

Andreazza A., Castoldi A., Chiodini G., Citterio M., Dalla M., Darbo G., Gariano G., Gaudiello A., Guazzoni C., Liberali V., Passadore S., Ragusa F., Rovani A., Ruscino E., Sbarra C., Sidoti A., Shrimali H., Zaffaroni E.
  Venerdì 30/09   15:00 - 18:00   Edificio Psicologia 2 - Aula 3F   I - Fisica nucleare e subnucleare
I rivelatori a pixel ad alta resistività costruiti con tecnologia CMOS sono una possibile soluzione per costruire tracciatori di precisione con superfici importanti per gli esperimenti previsti dopo l'upgrade di luminosità di LHC. Tra le architetture allo studio verrà presentato un ibrido dove i sensori CMOS vengono letti da un chip di lettura accoppiato tramite un dielettrico sottile. Una criticità di questa implementazione è la resistenza a radiazione (0.1--1 Grad a seconda della distanza dal punto di interazione). Verranno mostrate le caratterizzazioni dei rivelatori prodotti in tecnologia BCD8 dalla STMicroelectronics prima e dopo i test di irragiamento effettuati ai LNS dell'INFN.